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【微區(qū)分析】聚焦離子束場發(fā)射掃描電子顯微鏡

時間:2022-01-07來源:趙云經(jīng)理

儀器簡介:

功能特點(diǎn):FIB-SEM雙束電鏡不但能進(jìn)行超高分辨的掃描電鏡觀察,也能利用FIB對試樣進(jìn)行切割、加工、沉積,從事內(nèi)部和截面觀察及全靜態(tài)三維表征,以及特定圖形加工工作。高性能X射線能譜儀,支持點(diǎn)、線及面上的元素掃描,能準(zhǔn)確分析樣品的元素分布。

優(yōu)勢:超高的FIB分辨率可以進(jìn)行精確的試樣加工,尤其適合進(jìn)行制定區(qū)域TEM薄片制備。多種探測器可以實(shí)現(xiàn)高低真空下的信息全面采集。

主要技術(shù)參數(shù):

1.二次電子分辨率:1.0 nm (加速電壓30 kV);2.0 nm (著陸電壓1 kV)。電子槍最大束流不小于200 nA。放大倍率:1 – 1000 k。熱場發(fā)射電子槍加速電壓:0.2 - 30 kV。

2.離子槍分辨率:2.5 nm (加速電壓30 kV,工作距離9 mm)。離子槍束流:1 pA – 50 nA。離子槍加速電壓:500 V - 30 kV。

3.能譜儀探測器:牛津儀器的硅漂移(SDD)電制冷探測器,50 mm2有效面積。

4.配備Ga鎵離子源、Pt氣體注入系統(tǒng)、TEM樣品取出納米機(jī)械手。

應(yīng)用領(lǐng)域:

金屬、陶瓷、礦物、半導(dǎo)體等材料的顯微形貌、晶體結(jié)構(gòu)和相組織的觀察與分析。各種材料微區(qū)化學(xué)成分的定性和半定量檢測。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、微電子產(chǎn)業(yè)微納加工;透射電鏡樣品制備。


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